FDPF8N50NZU | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDPF8N50NZU

FDPF8N50NZU

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भाग संख्या	FDPF8N50NZU
LIXINC Part #	FDPF8N50NZU
उत्पादक	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 500V 6.5A TO220F
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	FDPF8N50NZU पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 10 - Oct 14 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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FDPF8N50NZU विशेष विवरण

भाग संख्या:	FDPF8N50NZU
ब्रैंड:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
शृंखला:	UniFET-II™
पैकेट:	Tube
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	500 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	6.5A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	1.2Ohm @ 4A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	5V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	18 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	±25V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	735 pF @ 25 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	40W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	TO-220F
पैकेज / मामला:	TO-220-3 Full Pack

FDPF8N50NZU दस्तावेज़

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