IPI80N06S4L07AKSA2 | Rochester Electronics IPI80N06S4L07AKSA2 | IPI80N06S4L07AKSA2 Inventory, Best Pricing

IPI80N06S4L07AKSA2

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भाग संख्या	IPI80N06S4L07AKSA2
LIXINC Part #	IPI80N06S4L07AKSA2
उत्पादक	Rochester Electronics
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3-1
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	IPI80N06S4L07AKSA2 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 07 - Oct 11 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान
शिपिंग

IPI80N06S4L07AKSA2 विशेष विवरण

भाग संख्या:	IPI80N06S4L07AKSA2
ब्रैंड:	Rochester Electronics
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	Rochester Electronics
शृंखला:	OptiMOS™
पैकेट:	Bulk
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	60 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	80A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	4.5V, 10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	6.7mOhm @ 80A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	2.2V @ 40µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	72 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	±16V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	5.68 pF @ 25 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	79W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	PG-TO262-3-1
पैकेज / मामला:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

IPI80N06S4L07AKSA2 दस्तावेज़

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