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PMXB360ENEAZ

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भाग संख्या	PMXB360ENEAZ
LIXINC Part #	PMXB360ENEAZ
उत्पादक	Nexperia
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	PMXB360ENEAZ पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 07 - Oct 11 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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PMXB360ENEAZ विशेष विवरण

भाग संख्या:	PMXB360ENEAZ
ब्रैंड:	Nexperia
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	Nexperia
शृंखला:	-
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	80 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	1.1A (Ta)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	4.5V, 10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	450mOhm @ 1.1A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	2.7V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	4.5 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	±20V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	130 pF @ 40 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	400mW (Ta), 6.25W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	DFN1010D-3
पैकेज / मामला:	3-XDFN Exposed Pad

PMXB360ENEAZ दस्तावेज़

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समय सीमा	पुष्टि की
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