HGTP5N120BND | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor HGTP5N120BND

HGTP5N120BND

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भाग संख्या	HGTP5N120BND
LIXINC Part #	HGTP5N120BND
उत्पादक	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - आईजीबीटी - सिंगल
विवरण	IGBT 1200V 21A 167W TO220AB
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	HGTP5N120BND पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 07 - Oct 11 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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HGTP5N120BND विशेष विवरण

भाग संख्या:	HGTP5N120BND
ब्रैंड:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - आईजीबीटी - सिंगल
उत्पादक:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
शृंखला:	-
पैकेट:	Tube
भाग की स्थिति:	Not For New Designs
आईजीबीटी प्रकार:	NPT
वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम):	1200 V
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम):	21 A
वर्तमान - संग्राहक स्पंदित (आईसीएम):	40 A
वीसीई (ऑन) (अधिकतम) @ वीजीई, आईसी:	2.7V @ 15V, 5A
शक्ति - मैक्स:	167 W
स्विचिंग ऊर्जा:	450µJ (on), 390µJ (off)
निवेष का प्रकार:	Standard
गेट प्रभारी:	53 nC
टीडी (ऑन/ऑफ) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	22ns/160ns
परीक्षण स्थिति:	960V, 5A, 25Ohm, 15V
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):	65 ns
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Through Hole
पैकेज / मामला:	TO-220-3
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	TO-220-3

HGTP5N120BND दस्तावेज़

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