BYG10M-E3/TR3 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division BYG10M-E3/TR3

BYG10M-E3/TR3

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भाग संख्या	BYG10M-E3/TR3
LIXINC Part #	BYG10M-E3/TR3
उत्पादक	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
वर्ग	असतत अर्धचालक › डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
विवरण	DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	BYG10M-E3/TR3 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 20 - Oct 24 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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शिपिंग

BYG10M-E3/TR3 विशेष विवरण

भाग संख्या:	BYG10M-E3/TR3
ब्रैंड:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
उत्पादक:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
शृंखला:	-
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
डायोड प्रकार:	Avalanche
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):	1000 V
वर्तमान - औसत सुधारा (आईओ):	1.5A
वोल्टेज - आगे (vf) (अधिकतम) @ अगर:	1.15 V @ 1.5 A
रफ़्तार:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):	4 µs
करंट - रिवर्स लीकेज @ वी.आर:	1 µA @ 1000 V
समाई @ वीआर, एफ:	-
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
पैकेज / मामला:	DO-214AC, SMA
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	DO-214AC (SMA)
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:	-55°C ~ 150°C

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