SS1F4HM3/H | Vishay General Semiconductor – Diodes Division SS1F4HM3/H

SS1F4HM3/H

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भाग संख्या	SS1F4HM3/H
LIXINC Part #	SS1F4HM3/H
उत्पादक	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
वर्ग	असतत अर्धचालक › डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
विवरण	DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO219AB
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	SS1F4HM3/H पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 07 - Oct 11 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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शिपिंग

SS1F4HM3/H विशेष विवरण

भाग संख्या:	SS1F4HM3/H
ब्रैंड:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
उत्पादक:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
शृंखला:	Automotive, AEC-Q101
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
डायोड प्रकार:	Schottky
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):	40 V
वर्तमान - औसत सुधारा (आईओ):	1A
वोल्टेज - आगे (vf) (अधिकतम) @ अगर:	520 mV @ 1 A
रफ़्तार:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):	-
करंट - रिवर्स लीकेज @ वी.आर:	150 µA @ 40 V
समाई @ वीआर, एफ:	85pF @ 4V, 1MHz
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
पैकेज / मामला:	DO-219AB
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	DO-219AB (SMF)
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:	175°C (Max)

US1J-TP	DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC	996 अधिक आदेश पर
SF46G R0G	DIODE GEN PURP 400V 4A DO201AD	963 अधिक आदेश पर
SBR10U200P5-13	DIODE SBR 200V 10A POWERDI5	960 अधिक आदेश पर
S1B-E3/61T	DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC	36617 अधिक आदेश पर
IDDD08G65C6XTMA1	SIC DIODES	2593 अधिक आदेश पर
ER2D	DIODE SFR SMB 200V 2A	834 अधिक आदेश पर
IDW16G65C5XKSA1	DIODE SCHOTTKY 650V 16A TO247-3	961 अधिक आदेश पर
FR306BULK	DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD	5930 अधिक आदेश पर
DSB1A20	DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO204AL	923 अधिक आदेश पर
ES1CHE3_A/H	DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC	50533 अधिक आदेश पर
BY255-CT	CUT-TAPE VERSION. STANDARD RECO	1235 अधिक आदेश पर
RS2J-M3/5BT	DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA	871 अधिक आदेश पर
SM5407	DIODE STD MELF 800V 3A	874 अधिक आदेश पर

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