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VS-2EFH02HM3/I

VS-2EFH02HM3/I
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भाग संख्या VS-2EFH02HM3/I
LIXINC Part # VS-2EFH02HM3/I
उत्पादक Vishay General Semiconductor – Diodes Division
वर्ग असतत अर्धचालक › डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
विवरण DIODE GEN PURP 200V 2A DO219AB
जीवन चक्र सक्रिय
RoHS कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल VS-2EFH02HM3/I पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी Oct 26 - Oct 30 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी 1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
शिपिंग DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

VS-2EFH02HM3/I विशेष विवरण

भाग संख्या:VS-2EFH02HM3/I
ब्रैंड:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
जीवन चक्र:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
उत्पादक:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
शृंखला:Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®
पैकेट:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:Active
डायोड प्रकार:Standard
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):200 V
वर्तमान - औसत सुधारा (आईओ):2A
वोल्टेज - आगे (vf) (अधिकतम) @ अगर:950 mV @ 2 A
रफ़्तार:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):25 ns
करंट - रिवर्स लीकेज @ वी.आर:2 µA @ 200 V
समाई @ वीआर, एफ:-
माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
पैकेज / मामला:DO-219AB
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:DO-219AB (SMF)
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:-65°C ~ 175°C

VS-2EFH02HM3/I दस्तावेज़

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