US1GHE3_A/H | Vishay General Semiconductor – Diodes Division US1GHE3_A/H

US1GHE3_A/H

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भाग संख्या	US1GHE3_A/H
LIXINC Part #	US1GHE3_A/H
उत्पादक	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
वर्ग	असतत अर्धचालक › डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
विवरण	DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	US1GHE3_A/H पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 21 - Oct 25 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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शिपिंग

US1GHE3_A/H विशेष विवरण

भाग संख्या:	US1GHE3_A/H
ब्रैंड:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
उत्पादक:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
शृंखला:	Automotive, AEC-Q101
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
डायोड प्रकार:	Standard
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):	400 V
वर्तमान - औसत सुधारा (आईओ):	1A
वोल्टेज - आगे (vf) (अधिकतम) @ अगर:	1 V @ 1 A
रफ़्तार:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):	50 ns
करंट - रिवर्स लीकेज @ वी.आर:	10 µA @ 400 V
समाई @ वीआर, एफ:	15pF @ 4V, 1MHz
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
पैकेज / मामला:	DO-214AC, SMA
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	DO-214AC (SMA)
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:	-55°C ~ 150°C

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