IDW30G65C5XKSA1 | IR (Infineon Technologies) IDW30G65C5XKSA1 | IDW30G65C5XKSA1 Inventory, Best Pricing

IDW30G65C5XKSA1

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भाग संख्या	IDW30G65C5XKSA1
LIXINC Part #	IDW30G65C5XKSA1
उत्पादक	IR (Infineon Technologies)
वर्ग	असतत अर्धचालक › डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
विवरण	DIODE SCHOTTKY 650V 30A TO247-3
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	IDW30G65C5XKSA1 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 22 - Oct 26 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान
शिपिंग

IDW30G65C5XKSA1 विशेष विवरण

भाग संख्या:	IDW30G65C5XKSA1
ब्रैंड:	IR (Infineon Technologies)
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
उत्पादक:	IR (Infineon Technologies)
शृंखला:	CoolSiC™+
पैकेट:	Tube
भाग की स्थिति:	Active
डायोड प्रकार:	Silicon Carbide Schottky
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):	650 V
वर्तमान - औसत सुधारा (आईओ):	30A (DC)
वोल्टेज - आगे (vf) (अधिकतम) @ अगर:	1.7 V @ 30 A
रफ़्तार:	No Recovery Time > 500mA (Io)
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):	0 ns
करंट - रिवर्स लीकेज @ वी.आर:	220 µA @ 650 V
समाई @ वीआर, एफ:	860pF @ 1V, 1MHz
माउन्टिंग का प्रकार:	Through Hole
पैकेज / मामला:	TO-247-3
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	PG-TO247-3
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:	-55°C ~ 175°C

SE30PAB-M3/I	DIODE GEN PURP 600V 3A DO221BC	965 अधिक आदेश पर
SS1P6L-M3/85A	DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO220AA	805 अधिक आदेश पर
VS-240UR100D	DIODE GEN PURP 1KV 320A DO205	835 अधिक आदेश पर
RAL1G	DIODE FR DO-213AA 400V 1A	3313 अधिक आदेश पर
M7-CT	CUT-TAPE VERSION. STANDARD RECO	1310 अधिक आदेश पर
MR828	DIODE FR D8X7.5 800V 5A	959 अधिक आदेश पर
SS10P4HM3_A/H	DIODE SCHOTTKY 40V 10A TO277A	883 अधिक आदेश पर
PDS560Q-13	DIODE SCHOTTKY 60V 5A POWERDI5	1433 अधिक आदेश पर
PT800M	DIODE STD TO-220AC 1000V 8A	836 अधिक आदेश पर
FESB8DTHE3/81	DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB	923 अधिक आदेश पर
STTH4R02U	DIODE GEN PURP 200V 4A SMB	7505 अधिक आदेश पर
GS1M-LTP	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC	912 अधिक आदेश पर
CMPD914E TR PBFREE	DIODE GEN PURP 75V 250MA SOT23	15258 अधिक आदेश पर

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