GL41AHE3/96 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division GL41AHE3/96

GL41AHE3/96

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भाग संख्या	GL41AHE3/96
LIXINC Part #	GL41AHE3/96
उत्पादक	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
वर्ग	असतत अर्धचालक › डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
विवरण	DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	GL41AHE3/96 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 25 - Oct 29 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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शिपिंग

GL41AHE3/96 विशेष विवरण

भाग संख्या:	GL41AHE3/96
ब्रैंड:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
उत्पादक:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
शृंखला:	SUPERECTIFIER®
पैकेट:	Tape & Reel (TR)
भाग की स्थिति:	Active
डायोड प्रकार:	Standard
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):	50 V
वर्तमान - औसत सुधारा (आईओ):	1A
वोल्टेज - आगे (vf) (अधिकतम) @ अगर:	1.1 V @ 1 A
रफ़्तार:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):	-
करंट - रिवर्स लीकेज @ वी.आर:	10 µA @ 50 V
समाई @ वीआर, एफ:	8pF @ 4V, 1MHz
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
पैकेज / मामला:	DO-213AB, MELF (Glass)
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	DO-213AB
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:	-65°C ~ 175°C

GF1JHE3/67A	DIODE GEN PURP 600V 1A DO214BA	8137 अधिक आदेश पर
S3AHE3_A/I	DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB	972 अधिक आदेश पर
RS1AL R3G	DIODE GEN PURP 50V 800MA SUB SMA	3310 अधिक आदेश पर
S1KBHR5G	DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AA	956 अधिक आदेश पर
US2K-TP	2AULTRAFASTRECOVERYRECTIFIERSDO-	3670 अधिक आदेश पर
SS24 R5G	DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO214AA	2143 अधिक आदेश पर
SFS1006GHMNG	DIODE GEN PURP 400V 10A TO263AB	875 अधिक आदेश पर
STTH2R06	DIODE GEN PURP 600V 2A DO41	14064 अधिक आदेश पर
RURG1520CC_NL	RECTIFIER DIODE	995 अधिक आदेश पर
MURS115T3G	DIODE GEN PURP 150V 2A SMB	3612 अधिक आदेश पर
APT60DQ60BG	DIODE GEN PURP 600V 60A TO247	840 अधिक आदेश पर
SS220-HF	DIODE SCHOTTKY 200V 2A DO214AC S	3220 अधिक आदेश पर
S1JBTR	DIODE GEN PURP 600V 1A SMB	980 अधिक आदेश पर

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