VS-1N1190A | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-1N1190A

VS-1N1190A

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भाग संख्या	VS-1N1190A
LIXINC Part #	VS-1N1190A
उत्पादक	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
वर्ग	असतत अर्धचालक › डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
विवरण	DIODE GEN PURP 600V 40A DO203AB
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	VS-1N1190A पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 21 - Oct 25 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान
शिपिंग

VS-1N1190A विशेष विवरण

भाग संख्या:	VS-1N1190A
ब्रैंड:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
उत्पादक:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
शृंखला:	-
पैकेट:	Bulk
भाग की स्थिति:	Active
डायोड प्रकार:	Standard
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):	600 V
वर्तमान - औसत सुधारा (आईओ):	40A
वोल्टेज - आगे (vf) (अधिकतम) @ अगर:	1.3 V @ 126 A
रफ़्तार:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):	-
करंट - रिवर्स लीकेज @ वी.आर:	2.5 mA @ 600 V
समाई @ वीआर, एफ:	-
माउन्टिंग का प्रकार:	Chassis, Stud Mount
पैकेज / मामला:	DO-203AB, DO-5, Stud
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	DO-203AB
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:	-65°C ~ 200°C

UPS315/TR13	DIODE SCHOTTKY 15V 3A POWERMITE	853 अधिक आदेश पर
FFSB1265A	DIODE SBD 12A 650V D2PAK-3	981 अधिक आदेश पर
S1PKHM3/85A	DIODE GEN PURP 800V 1A DO220AA	907 अधिक आदेश पर
VS-307URA250	DIODE GEN PURP 2.5KV 300A DO9	860 अधिक आदेश पर
S1GHM3_A/H	1A 400V SMA STD GPP SM RECT	866 अधिक आदेश पर
ES1DTR	DIODE GEN PURP 200V 1A SMA	2397 अधिक आदेश पर
1N5400G-T	DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD	1689 अधिक आदेश पर
S1M-AQ	DIODE STD SMA 1000V 1A	950 अधिक आदेश पर
S1W-CT	CUT-TAPE VERSION. STANDARD RECO	1011 अधिक आदेश पर
S1BB M4G	DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AA	851 अधिक आदेश पर
SICRF101200	DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S	973 अधिक आदेश पर
HS2D M4G	DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA	823 अधिक आदेश पर
FSV10120V	DIODE SCHOTTKY 120V 10A TO277-3	7862 अधिक आदेश पर

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