TSPB5H150S S1G | TSC (Taiwan Semiconductor) TSPB5H150S S1G | TSPB5H150S S1G Inventory, Best Pricing

TSPB5H150S S1G

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भाग संख्या	TSPB5H150S S1G
LIXINC Part #	TSPB5H150S S1G
उत्पादक	TSC (Taiwan Semiconductor)
वर्ग	असतत अर्धचालक › डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
विवरण	DIODE SCHOTTKY 150V 5A SMPC4.0
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	TSPB5H150S S1G पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 08 - Oct 12 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान
शिपिंग

TSPB5H150S S1G विशेष विवरण

भाग संख्या:	TSPB5H150S S1G
ब्रैंड:	TSC (Taiwan Semiconductor)
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
उत्पादक:	TSC (Taiwan Semiconductor)
शृंखला:	-
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
डायोड प्रकार:	Schottky
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):	150 V
वर्तमान - औसत सुधारा (आईओ):	5A
वोल्टेज - आगे (vf) (अधिकतम) @ अगर:	840 mV @ 5 A
रफ़्तार:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):	-
करंट - रिवर्स लीकेज @ वी.आर:	100 µA @ 150 V
समाई @ वीआर, एफ:	-
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
पैकेज / मामला:	TO-277, 3-PowerDFN
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	SMPC4.0
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:	-55°C ~ 150°C

HER158G R0G	DIODE GEN PURP 1.5A DO204AC	953 अधिक आदेश पर
DLA20IM800PC-TRL	DIODE GEN PURP 800V 20A TO263	852 अधिक आदेश पर
RS2GHE3_A/H	DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AA	4888 अधिक आदेश पर
1N5061TR	DIODE AVALANCHE 600V 2A SOD57	17941 अधिक आदेश पर
ES2G/1	DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA	908 अधिक आदेश पर
STPSC8H065G2Y-TR	AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE	1144 अधिक आदेश पर
RB058LAM-60TFTR	AUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD	3831 अधिक आदेश पर
RL256GP-TP	DIODE GEN PURP 2.5A 800V R3	945 अधिक आदेश पर
NTE6118	R-1200PRV 2200A	888 अधिक आदेश पर
STD5200TR	DIODE SCHOTTKY 200V DPAK	2641 अधिक आदेश पर
HS3A V7G	DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB	863 अधिक आदेश पर
SM4001	DIODE STD MELF 50V 1A	70826 अधिक आदेश पर
BY133TA	DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO41	15715 अधिक आदेश पर

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