VS-12F80 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-12F80

VS-12F80

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भाग संख्या	VS-12F80
LIXINC Part #	VS-12F80
उत्पादक	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
वर्ग	असतत अर्धचालक › डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
विवरण	DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	VS-12F80 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 21 - Oct 25 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान
शिपिंग

VS-12F80 विशेष विवरण

भाग संख्या:	VS-12F80
ब्रैंड:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
उत्पादक:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
शृंखला:	-
पैकेट:	Bulk
भाग की स्थिति:	Active
डायोड प्रकार:	Standard
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):	800 V
वर्तमान - औसत सुधारा (आईओ):	12A
वोल्टेज - आगे (vf) (अधिकतम) @ अगर:	1.26 V @ 38 A
रफ़्तार:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):	-
करंट - रिवर्स लीकेज @ वी.आर:	12 mA @ 800 V
समाई @ वीआर, एफ:	-
माउन्टिंग का प्रकार:	Chassis, Stud Mount
पैकेज / मामला:	DO-203AA, DO-4, Stud
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	DO-203AA
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:	-65°C ~ 175°C

AS3PGHM3_A/I	DIODE AVALANCHE 400V 2.1A TO277A	818 अधिक आदेश पर
RSFGL R3G	DIODE GEN PURP 400V 500MA SUBSMA	5304 अधिक आदेश पर
VIT5200-E3/4W	DIODE SCHOTTKY 5A 200V TO-262AA	976 अधिक आदेश पर
V20150SG-E3/4W	DIODE SCHOTTKY 150V 20A TO220AB	878 अधिक आदेश पर
1F18	DIODE GEN PURP 1800V 500MA R1	930 अधिक आदेश पर
MBRS130T3H	RECTIFIER DIODE	15982 अधिक आदेश पर
D711N65TXPSA1	DIODE GEN PURP 6.5KV 1070A	858 अधिक आदेश पर
GL1MR13	DIODE STD DO-213AA 1000V 1A	530831 अधिक आदेश पर
1N6478HE3/96	DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB	924 अधिक आदेश पर
R5000GP-TP	0.2AHIGH VOLTAGE SILICON RECTIFI	3089 अधिक आदेश पर
VS-8ETX06STRL-M3	DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB	944 अधिक आदेश पर
TST20L120CW C0G	DIODE SCHOTTKY 120V 10A TO220AB	1889 अधिक आदेश पर
ESH2DHE3_A/I	DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA	901 अधिक आदेश पर

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