GB01SLT12-252 | GeneSiC Semiconductor GB01SLT12-252 | GB01SLT12-252 Inventory, Best Pricing

GB01SLT12-252

बड़े आकार में

केवल संदर्भ के लिए

भाग संख्या	GB01SLT12-252
LIXINC Part #	GB01SLT12-252
उत्पादक	GeneSiC Semiconductor
वर्ग	असतत अर्धचालक › डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
विवरण	DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	GB01SLT12-252 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 20 - Oct 24 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान
शिपिंग

GB01SLT12-252 विशेष विवरण

भाग संख्या:	GB01SLT12-252
ब्रैंड:	GeneSiC Semiconductor
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
उत्पादक:	GeneSiC Semiconductor
शृंखला:	-
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
डायोड प्रकार:	Silicon Carbide Schottky
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):	1200 V
वर्तमान - औसत सुधारा (आईओ):	1A
वोल्टेज - आगे (vf) (अधिकतम) @ अगर:	1.8 V @ 1 A
रफ़्तार:	No Recovery Time > 500mA (Io)
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):	0 ns
करंट - रिवर्स लीकेज @ वी.आर:	2 µA @ 1200 V
समाई @ वीआर, एफ:	69pF @ 1V, 1MHz
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
पैकेज / मामला:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	TO-252
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:	-55°C ~ 175°C

वार्म टिप्स: कृपया नीचे दिया गया फॉर्म भरें। हम जितनी जल्दी हो सके आपसे संपर्क करेंगे।

Lixinc आपके लिए सबसे अधिक प्रतिस्पर्धी कीमतों की पेशकश करेगा, कृपया कोटेशन देखें।

[email protected]

LIXINC

मेसेज भेजें

विवरण के लिए हमसे संपर्क करने में संकोच न करें।

ISO9001:2015 & ISO14001:2015