V20120S-E3/4W | Vishay General Semiconductor – Diodes Division V20120S-E3/4W

V20120S-E3/4W

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भाग संख्या	V20120S-E3/4W
LIXINC Part #	V20120S-E3/4W
उत्पादक	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
वर्ग	असतत अर्धचालक › डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
विवरण	DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO220AB
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	V20120S-E3/4W पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 21 - Oct 25 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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शिपिंग

V20120S-E3/4W विशेष विवरण

भाग संख्या:	V20120S-E3/4W
ब्रैंड:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
उत्पादक:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
शृंखला:	TMBS®
पैकेट:	Tube
भाग की स्थिति:	Active
डायोड प्रकार:	Schottky
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):	120 V
वर्तमान - औसत सुधारा (आईओ):	20A
वोल्टेज - आगे (vf) (अधिकतम) @ अगर:	1.12 V @ 20 A
रफ़्तार:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):	-
करंट - रिवर्स लीकेज @ वी.आर:	300 µA @ 120 V
समाई @ वीआर, एफ:	-
माउन्टिंग का प्रकार:	Through Hole
पैकेज / मामला:	TO-220-3
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	TO-220AB
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:	-40°C ~ 150°C

MSC010SDA070K	DIODE SCHOTTKY 700V 10A TO220-3	1094 अधिक आदेश पर
SK43BL-TP	DIODE SCHOTTKY 30V 4A DO214AA	5630 अधिक आदेश पर
LL4448-GS18	DIODE GEN PURP 75V 300MA SOD80	1850 अधिक आदेश पर
BYV29B-600,118	DIODE GEN PURP 600V 9A D2PAK	920 अधिक आदेश पर
SS210-TP	DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO214AC	957 अधिक आदेश पर
CD214A-F150	DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC	10500 अधिक आदेश पर
HS1KLW RVG	DIODE GEN PURP 800V 1A SOD123W	868 अधिक आदेश पर
LL101B-GS18	DIODE SCHOTTKY 50V 30MA SOD80	10393 अधिक आदेश पर
SK3H15SMB	SCHOTTKY SMB 150V 3A	42975 अधिक आदेश पर
SK3C0C	3A -200V - SMC (DO-214AB) - RECT	1221 अधिक आदेश पर
DST560S-A	DIODE SCHOTTKY 60V 5A TO277B	932 अधिक आदेश पर
BAV70E6767	GENERAL PURPOSE HIGH SPEED SWITC	96844 अधिक आदेश पर
SR203 R0G	DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO204AC	853 अधिक आदेश पर

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