VS-SD303C08S10C | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-SD303C08S10C

VS-SD303C08S10C

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भाग संख्या	VS-SD303C08S10C
LIXINC Part #	VS-SD303C08S10C
उत्पादक	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
वर्ग	असतत अर्धचालक › डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
विवरण	DIODE GEN PURP 800V 350A DO200AA
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	VS-SD303C08S10C पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 22 - Oct 26 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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शिपिंग

VS-SD303C08S10C विशेष विवरण

भाग संख्या:	VS-SD303C08S10C
ब्रैंड:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
उत्पादक:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
शृंखला:	-
पैकेट:	Bulk
भाग की स्थिति:	Active
डायोड प्रकार:	Standard
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):	800 V
वर्तमान - औसत सुधारा (आईओ):	350A
वोल्टेज - आगे (vf) (अधिकतम) @ अगर:	2.26 V @ 1100 A
रफ़्तार:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):	1 µs
करंट - रिवर्स लीकेज @ वी.आर:	35 mA @ 800 V
समाई @ वीआर, एफ:	-
माउन्टिंग का प्रकार:	Clamp On
पैकेज / मामला:	DO-200AA, A-PUK
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	DO-200AA, A-PUK
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:	-

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