HS1BL R3G | TSC (Taiwan Semiconductor) HS1BL R3G | HS1BL R3G Inventory, Best Pricing

HS1BL R3G

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भाग संख्या	HS1BL R3G
LIXINC Part #	HS1BL R3G
उत्पादक	TSC (Taiwan Semiconductor)
वर्ग	असतत अर्धचालक › डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
विवरण	DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	HS1BL R3G पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 28 - Nov 01 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान
शिपिंग

HS1BL R3G विशेष विवरण

भाग संख्या:	HS1BL R3G
ब्रैंड:	TSC (Taiwan Semiconductor)
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
उत्पादक:	TSC (Taiwan Semiconductor)
शृंखला:	-
पैकेट:	Tape & Reel (TR)
भाग की स्थिति:	Active
डायोड प्रकार:	Standard
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):	100 V
वर्तमान - औसत सुधारा (आईओ):	1A
वोल्टेज - आगे (vf) (अधिकतम) @ अगर:	950 mV @ 1 A
रफ़्तार:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):	50 ns
करंट - रिवर्स लीकेज @ वी.आर:	5 µA @ 100 V
समाई @ वीआर, एफ:	20pF @ 4V, 1MHz
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
पैकेज / मामला:	DO-219AB
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	Sub SMA
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:	-55°C ~ 150°C

SDM1100S1F-7	DIODE SCHOTTKY 100V 1A SOD123F	7185 अधिक आदेश पर
SK33BHM4G	DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO214AA	880 अधिक आदेश पर
SF2L6G A0G	DIODE GEN PURP 400V 2A DO204AC	895 अधिक आदेश पर
BAS16-HE3-08	DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23	4624 अधिक आदेश पर
BAT54WS-7-F	DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SOD323	2045 अधिक आदेश पर
CMS03(TE12L,Q,M)	DIODE SCHOTTKY 30V 3A MFLAT	25534 अधिक आदेश पर
FFPF15S60STU	DIODE GEN PURP 600V 15A TO220F	6626 अधिक आदेश पर
VS-20ETF08-M3	DIODE GEN PURP 800V 20A TO220AC	906 अधिक आदेश पर
1N2130A	DIODE GEN PURP 150V 60A DO5	986 अधिक आदेश पर
BYV14-TR	DIODE AVALANCHE 600V 1.5A SOD57	930 अधिक आदेश पर
GP10-4007-E3/53	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL	907 अधिक आदेश पर
SL1G-CT	CUT-TAPE VERSION. STANDARD RECO	237967 अधिक आदेश पर
SBLB10L25-E3/81	DIODE SCHOTTKY 25V 10A TO263AB	888 अधिक आदेश पर

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