NE3512S02-T1C-A | Rochester Electronics NE3512S02-T1C-A | NE3512S02-T1C-A Inventory, Best Pricing

NE3512S02-T1C-A

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भाग संख्या	NE3512S02-T1C-A
LIXINC Part #	NE3512S02-T1C-A
उत्पादक	Rochester Electronics
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - rf
विवरण	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	NE3512S02-T1C-A पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 22 - Sep 26 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान
शिपिंग

NE3512S02-T1C-A विशेष विवरण

WP2806045UH	RF GAN HEMT 28V DC ~ 6GHZ, 45W	846 अधिक आदेश पर
NPT1012B	HEMT N-CH 28V 25W DC-4000MHZ	906 अधिक आदेश पर
ARF461BG	RF MOSFET N-CH 1000V TO247	868 अधिक आदेश पर
CGH40025F	RF MOSFET HEMT 28V 440166	1507 अधिक आदेश पर
SD57030-01	FET RF 65V 945MHZ M250	847 अधिक आदेश पर
2SK3491-TL-E	NCH 4V DRIVE SERIES	410304 अधिक आदेश पर
PD85035STR-E	TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF	889 अधिक आदेश पर
CGHV96100F2	RF MOSFET HEMT 40V 440210	1128 अधिक आदेश पर
BG3130H6327XTSA1	DUAL N-CHANNEL MOSFET TETRODE	537888 अधिक आदेश पर
AFT20S015NR1	RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2	1396 अधिक आदेश पर
CGH40045F	RF MOSFET HEMT 28V 440193	1278 अधिक आदेश पर
BLP10H603AZ	RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN	959 अधिक आदेश पर
MRF175GV	FET RF 2CH 65V 225MHZ 375-04	904 अधिक आदेश पर

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Qty.	Unit Price	Ext. Price
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