VBT10200C-E3/8W | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VBT10200C-E3/8W

VBT10200C-E3/8W

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भाग संख्या	VBT10200C-E3/8W
LIXINC Part #	VBT10200C-E3/8W
उत्पादक	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
वर्ग	असतत अर्धचालक › डायोड - रेक्टिफायर - सरणियाँ
विवरण	DIODE SCHOTTKY 10A 200V TO-263AB
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	VBT10200C-E3/8W पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 24 - Oct 28 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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शिपिंग

VBT10200C-E3/8W विशेष विवरण

भाग संख्या:	VBT10200C-E3/8W
ब्रैंड:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	डायोड - रेक्टिफायर - सरणियाँ
उत्पादक:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
शृंखला:	TMBS®
पैकेट:	Tape & Reel (TR)
भाग की स्थिति:	Active
डायोड विन्यास:	1 Pair Common Cathode
डायोड प्रकार:	Schottky
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):	200 V
वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ) (प्रति डायोड):	5A
वोल्टेज - आगे (vf) (अधिकतम) @ अगर:	1.6 V @ 5 A
रफ़्तार:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):	-
करंट - रिवर्स लीकेज @ वी.आर:	150 µA @ 200 V
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:	-40°C ~ 150°C
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
पैकेज / मामला:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	TO-263AB

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1600	$0.49831	$797.296

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