BZX55B3V9-TAP | Vishay General Semiconductor – Diodes Division BZX55B3V9-TAP

BZX55B3V9-TAP

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भाग संख्या	BZX55B3V9-TAP
LIXINC Part #	BZX55B3V9-TAP
उत्पादक	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
वर्ग	असतत अर्धचालक › डायोड - जेनर - सिंगल
विवरण	DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	BZX55B3V9-TAP पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 22 - Sep 26 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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शिपिंग

BZX55B3V9-TAP विशेष विवरण

भाग संख्या:	BZX55B3V9-TAP
ब्रैंड:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	डायोड - जेनर - सिंगल
उत्पादक:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
शृंखला:	Automotive, AEC-Q101
पैकेट:	Cut Tape (CT)Tape & Box (TB)
भाग की स्थिति:	Active
वोल्टेज - जेनर (नाम) (vz):	3.9 V
सहनशीलता:	±2%
शक्ति - मैक्स:	500 mW
प्रतिबाधा (अधिकतम) (ZZT):	90 Ohms
करंट - रिवर्स लीकेज @ वी.आर:	2 µA @ 1 V
वोल्टेज - आगे (vf) (अधिकतम) @ अगर:	1.5 V @ 200 mA
परिचालन तापमान:	-65°C ~ 175°C
माउन्टिंग का प्रकार:	Through Hole
पैकेज / मामला:	DO-204AH, DO-35, Axial
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	DO-35

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