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FDG6301N-F085

FDG6301N-F085
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भाग संख्या FDG6301N-F085
LIXINC Part # FDG6301N-F085
उत्पादक Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
वर्ग असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सरणियाँ
विवरण MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6
जीवन चक्र सक्रिय
RoHS कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल FDG6301N-F085 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी Sep 22 - Sep 26 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी 1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
शिपिंग DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FDG6301N-F085 विशेष विवरण

भाग संख्या:FDG6301N-F085
ब्रैंड:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
जीवन चक्र:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सरणियाँ
उत्पादक:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
शृंखला:Automotive, AEC-Q101
पैकेट:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:Active
एफईटी प्रकार:2 N-Channel (Dual)
fet सुविधा:Logic Level Gate
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):25V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस:220mA
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:4Ohm @ 220mA, 4.5V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:1.5V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:0.4nC @ 4.5V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:9.5pF @ 10V
शक्ति - मैक्स:300mW
परिचालन तापमान:-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
पैकेज / मामला:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:SC-88 (SC-70-6)

FDG6301N-F085 दस्तावेज़

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