NSVBA114EDXV6T1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NSVBA114EDXV6T1G

NSVBA114EDXV6T1G

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भाग संख्या	NSVBA114EDXV6T1G
LIXINC Part #	NSVBA114EDXV6T1G
उत्पादक	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - द्विध्रुवी (bjt) - सरणियाँ, पूर्व-पक्षपाती
विवरण	TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563-6
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	NSVBA114EDXV6T1G पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 07 - Oct 11 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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NSVBA114EDXV6T1G विशेष विवरण

भाग संख्या:	NSVBA114EDXV6T1G
ब्रैंड:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - द्विध्रुवी (bjt) - सरणियाँ, पूर्व-पक्षपाती
उत्पादक:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
शृंखला:	-
पैकेट:	Tape & Reel (TR)
भाग की स्थिति:	Active
ट्रांजिस्टर प्रकार:	2 PNP - Pre-Biased (Dual)
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम):	100mA
वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम):	50V
रोकनेवाला - आधार (आर 1):	10kOhms
रोकनेवाला - उत्सर्जक आधार (आर 2):	10kOhms
डीसी वर्तमान लाभ (एचएफई) (न्यूनतम) @ आईसी, वीसीई:	35 @ 5mA, 10V
वीसीई संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी:	250mV @ 300µA, 10mA
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम):	500nA
आवृत्ति - संक्रमण:	-
शक्ति - मैक्स:	500mW
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
पैकेज / मामला:	SOT-563, SOT-666
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	SOT-563-6

NSVBA114EDXV6T1G दस्तावेज़

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