DS1230AB-200IND

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भाग संख्या	DS1230AB-200IND
LIXINC Part #	DS1230AB-200IND
उत्पादक	Rochester Electronics
वर्ग	एकीकृत सर्किट › याद
विवरण	IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	DS1230AB-200IND पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 18 - Oct 22 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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DS1230AB-200IND विशेष विवरण

भाग संख्या:	DS1230AB-200IND
ब्रैंड:	Rochester Electronics
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	एकीकृत सर्किट
उपश्रेणी:	याद
उत्पादक:	Rochester Electronics
शृंखला:	-
पैकेट:	Tube
भाग की स्थिति:	Obsolete
स्मृति प्रकार:	Non-Volatile
स्मृति प्रारूप:	NVSRAM
तकनीकी:	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
मेमोरी का आकार:	256Kb (32K x 8)
मेमोरी इंटरफ़ेस:	Parallel
घड़ी की आवृत्ति:	-
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ:	200ns
पहूंच समय:	200 ns
वोल्टेज आपूर्ति:	4.75V ~ 5.25V
परिचालन तापमान:	-40°C ~ 85°C (TA)
माउन्टिंग का प्रकार:	Through Hole
पैकेज / मामला:	28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	28-EDIP

DS1230AB-200IND दस्तावेज़

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