BR25G512FVT-3GE2

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भाग संख्या	BR25G512FVT-3GE2
LIXINC Part #	BR25G512FVT-3GE2
उत्पादक	ROHM Semiconductor
वर्ग	एकीकृत सर्किट › याद
विवरण	IC EEPROM 512KBIT SPI 8TSSOP
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	BR25G512FVT-3GE2 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 08 - Oct 12 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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BR25G512FVT-3GE2 विशेष विवरण

भाग संख्या:	BR25G512FVT-3GE2
ब्रैंड:	ROHM Semiconductor
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	एकीकृत सर्किट
उपश्रेणी:	याद
उत्पादक:	ROHM Semiconductor
शृंखला:	-
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
स्मृति प्रकार:	Non-Volatile
स्मृति प्रारूप:	EEPROM
तकनीकी:	EEPROM
मेमोरी का आकार:	512Kb (64K x 8)
मेमोरी इंटरफ़ेस:	SPI
घड़ी की आवृत्ति:	10 MHz
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ:	5ms
पहूंच समय:	-
वोल्टेज आपूर्ति:	1.8V ~ 5.5V
परिचालन तापमान:	-40°C ~ 85°C (TA)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
पैकेज / मामला:	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	8-TSSOP-B

BR25G512FVT-3GE2 दस्तावेज़

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