CYD18S18V18-200BBAXI

CYD18S18V18-200BBAXI

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भाग संख्या	CYD18S18V18-200BBAXI
LIXINC Part #	CYD18S18V18-200BBAXI
उत्पादक	Rochester Electronics
वर्ग	एकीकृत सर्किट › याद
विवरण	IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256FBGA
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	CYD18S18V18-200BBAXI पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 22 - Oct 26 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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CYD18S18V18-200BBAXI विशेष विवरण

भाग संख्या:	CYD18S18V18-200BBAXI
ब्रैंड:	Rochester Electronics
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	एकीकृत सर्किट
उपश्रेणी:	याद
उत्पादक:	Rochester Electronics
शृंखला:	-
पैकेट:	Tray
भाग की स्थिति:	Obsolete
स्मृति प्रकार:	Volatile
स्मृति प्रारूप:	SRAM
तकनीकी:	SRAM - Dual Port, Synchronous
मेमोरी का आकार:	18Mb (1M x 18)
मेमोरी इंटरफ़ेस:	Parallel
घड़ी की आवृत्ति:	200 MHz
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ:	-
पहूंच समय:	3.3 ns
वोल्टेज आपूर्ति:	1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
परिचालन तापमान:	-40°C ~ 85°C (TA)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
पैकेज / मामला:	256-LBGA
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	256-FBGA (17x17)

CYD18S18V18-200BBAXI दस्तावेज़

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