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TC58BYG0S3HBAI6

TC58BYG0S3HBAI6
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भाग संख्या TC58BYG0S3HBAI6
LIXINC Part # TC58BYG0S3HBAI6
उत्पादक Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
वर्ग एकीकृत सर्किट › याद
विवरण IC FLASH 1GBIT PARALLEL 67VFBGA
जीवन चक्र सक्रिय
RoHS कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल TC58BYG0S3HBAI6 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी Oct 22 - Oct 26 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी 1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
शिपिंग DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

TC58BYG0S3HBAI6 विशेष विवरण

भाग संख्या:TC58BYG0S3HBAI6
ब्रैंड:Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
जीवन चक्र:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:एकीकृत सर्किट
उपश्रेणी:याद
उत्पादक:Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
शृंखला:Benand™
पैकेट:Tray
भाग की स्थिति:Active
स्मृति प्रकार:Non-Volatile
स्मृति प्रारूप:FLASH
तकनीकी:FLASH - NAND (SLC)
मेमोरी का आकार:1Gb (128M x 8)
मेमोरी इंटरफ़ेस:Parallel
घड़ी की आवृत्ति:-
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ:25ns
पहूंच समय:25 ns
वोल्टेज आपूर्ति:1.7V ~ 1.95V
परिचालन तापमान:-40°C ~ 85°C (TA)
माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
पैकेज / मामला:67-VFBGA
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:67-VFBGA (6.5x8)

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