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NTHS2101PT1G

NTHS2101PT1G
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भाग संख्या NTHS2101PT1G
LIXINC Part # NTHS2101PT1G
उत्पादक Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
वर्ग असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET
जीवन चक्र सक्रिय
RoHS कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल NTHS2101PT1G पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी Sep 22 - Sep 26 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी 1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
शिपिंग DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NTHS2101PT1G विशेष विवरण

भाग संख्या:NTHS2101PT1G
ब्रैंड:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
जीवन चक्र:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
शृंखला:-
पैकेट:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:Obsolete
एफईटी प्रकार:P-Channel
तकनीकी:MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):8 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस:5.4A (Tj)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):1.8V, 4.5V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:25mOhm @ 5.4A, 4.5V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:1.5V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:30 nC @ 4.5 V
वीजीएस (अधिकतम):±8V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:2400 pF @ 6.4 V
fet सुविधा:-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):1.3W (Ta)
परिचालन तापमान:-
माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:ChipFET™
पैकेज / मामला:8-SMD, Flat Lead

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