IRFN214BTA_FP001 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor IRFN214BTA_FP001

IRFN214BTA_FP001

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भाग संख्या	IRFN214BTA_FP001
LIXINC Part #	IRFN214BTA_FP001
उत्पादक	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 250V 600MA TO92-3
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	IRFN214BTA_FP001 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 26 - Sep 30 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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IRFN214BTA_FP001 विशेष विवरण

भाग संख्या:	IRFN214BTA_FP001
ब्रैंड:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
शृंखला:	-
पैकेट:	Tape & Box (TB)
भाग की स्थिति:	Obsolete
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	250 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	600mA (Ta)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	2Ohm @ 300mA, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	4V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	10.5 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	±30V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	275 pF @ 25 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	1.8W (Ta)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	TO-92-3
पैकेज / मामला:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

IRFN214BTA_FP001 दस्तावेज़

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