IRF6674TR1PBF | IR (Infineon Technologies) IRF6674TR1PBF | IRF6674TR1PBF Inventory, Best Pricing

IRF6674TR1PBF

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भाग संख्या	IRF6674TR1PBF
LIXINC Part #	IRF6674TR1PBF
उत्पादक	IR (Infineon Technologies)
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	IRF6674TR1PBF पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 09 - Oct 13 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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IRF6674TR1PBF विशेष विवरण

भाग संख्या:	IRF6674TR1PBF
ब्रैंड:	IR (Infineon Technologies)
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	IR (Infineon Technologies)
शृंखला:	HEXFET®
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Obsolete
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	60 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	13.4A (Ta), 67A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	11mOhm @ 13.4A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	4.9V @ 100µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	36 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	±20V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	1350 pF @ 25 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	3.6W (Ta), 89W (Tc)
परिचालन तापमान:	-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	DIRECTFET™ MZ
पैकेज / मामला:	DirectFET™ Isometric MZ

IRF6674TR1PBF दस्तावेज़

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