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GA20SICP12-247

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भाग संख्या	GA20SICP12-247
LIXINC Part #	GA20SICP12-247
उत्पादक	GeneSiC Semiconductor
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	TRANS SJT 1200V 45A TO247AB
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	GA20SICP12-247 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 21 - Sep 25 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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GA20SICP12-247 विशेष विवरण

भाग संख्या:	GA20SICP12-247
ब्रैंड:	GeneSiC Semiconductor
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	GeneSiC Semiconductor
शृंखला:	-
पैकेट:	Tube
भाग की स्थिति:	Obsolete
एफईटी प्रकार:	-
तकनीकी:	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	1200 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	45A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	-
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	50mOhm @ 20A
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	-
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	-
वीजीएस (अधिकतम):	-
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	3091 pF @ 800 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	282W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	TO-247AB
पैकेज / मामला:	TO-247-3

GA20SICP12-247 दस्तावेज़

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