TK4A60DB(STA4,Q,M) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK4A60DB(STA4,Q,M) | TK4A60DB(STA4,Q,M) Inventory, Best Pricing

TK4A60DB(STA4,Q,M)

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भाग संख्या	TK4A60DB(STA4,Q,M)
LIXINC Part #	TK4A60DB(STA4,Q,M)
उत्पादक	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	TK4A60DB(STA4,Q,M) पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 22 - Sep 26 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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शिपिंग

TK4A60DB(STA4,Q,M) विशेष विवरण

भाग संख्या:	TK4A60DB(STA4,Q,M)
ब्रैंड:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
शृंखला:	π-MOSVII
पैकेट:	Tube
भाग की स्थिति:	Last Time Buy
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	600 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	3.7A (Ta)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	2Ohm @ 1.9A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	4.4V @ 1mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	11 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	±30V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	540 pF @ 25 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	35W (Tc)
परिचालन तापमान:	150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	TO-220SIS
पैकेज / मामला:	TO-220-3 Full Pack

TK4A60DB(STA4,Q,M) दस्तावेज़

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