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STV160NF02LT4

STV160NF02LT4
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भाग संख्या STV160NF02LT4
LIXINC Part # STV160NF02LT4
उत्पादक STMicroelectronics
वर्ग असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण MOSFET N-CH 20V 160A 10POWERSO
जीवन चक्र सक्रिय
RoHS कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल STV160NF02LT4 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी Sep 22 - Sep 26 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी 1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
शिपिंग DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

STV160NF02LT4 विशेष विवरण

भाग संख्या:STV160NF02LT4
ब्रैंड:STMicroelectronics
जीवन चक्र:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:STMicroelectronics
शृंखला:STripFET™ II
पैकेट:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:Obsolete
एफईटी प्रकार:N-Channel
तकनीकी:MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):20 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस:160A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):5V, 10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:2.5mOhm @ 80A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:1V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:160 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):±15V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:4800 pF @ 15 V
fet सुविधा:-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):210W (Tc)
परिचालन तापमान:175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:10-PowerSO
पैकेज / मामला:PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

STV160NF02LT4 दस्तावेज़

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