NS8GTHE3_A/P | Vishay General Semiconductor – Diodes Division NS8GTHE3_A/P

NS8GTHE3_A/P

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भाग संख्या	NS8GTHE3_A/P
LIXINC Part #	NS8GTHE3_A/P
उत्पादक	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
वर्ग	असतत अर्धचालक › डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
विवरण	DIODE GEN PURP 400V 8A TO220AC
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	NS8GTHE3_A/P पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 25 - Sep 29 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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शिपिंग

NS8GTHE3_A/P विशेष विवरण

भाग संख्या:	NS8GTHE3_A/P
ब्रैंड:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
उत्पादक:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
शृंखला:	Automotive, AEC-Q101
पैकेट:	Tube
भाग की स्थिति:	Obsolete
डायोड प्रकार:	Standard
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):	400 V
वर्तमान - औसत सुधारा (आईओ):	8A
वोल्टेज - आगे (vf) (अधिकतम) @ अगर:	1.1 V @ 8 A
रफ़्तार:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):	-
करंट - रिवर्स लीकेज @ वी.आर:	10 µA @ 400 V
समाई @ वीआर, एफ:	55pF @ 4V, 1MHz
माउन्टिंग का प्रकार:	Through Hole
पैकेज / मामला:	TO-220-2
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	TO-220AC
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:	-55°C ~ 150°C

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