V12P10-E3/86A | Vishay General Semiconductor – Diodes Division V12P10-E3/86A

V12P10-E3/86A

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भाग संख्या	V12P10-E3/86A
LIXINC Part #	V12P10-E3/86A
उत्पादक	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
वर्ग	असतत अर्धचालक › डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
विवरण	DIODE SCHOTTKY 100V 12A TO277A
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	V12P10-E3/86A पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 25 - Sep 29 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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V12P10-E3/86A विशेष विवरण

भाग संख्या:	V12P10-E3/86A
ब्रैंड:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
उत्पादक:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
शृंखला:	eSMP®, TMBS®
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Obsolete
डायोड प्रकार:	Schottky
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):	100 V
वर्तमान - औसत सुधारा (आईओ):	12A
वोल्टेज - आगे (vf) (अधिकतम) @ अगर:	700 mV @ 12 A
रफ़्तार:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):	-
करंट - रिवर्स लीकेज @ वी.आर:	250 µA @ 100 V
समाई @ वीआर, एफ:	-
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
पैकेज / मामला:	TO-277, 3-PowerDFN
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	TO-277A (SMPC)
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:	-40°C ~ 150°C

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