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IRF6723M2DTR1P

IRF6723M2DTR1P
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भाग संख्या IRF6723M2DTR1P
LIXINC Part # IRF6723M2DTR1P
उत्पादक IR (Infineon Technologies)
वर्ग असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सरणियाँ
विवरण MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
जीवन चक्र सक्रिय
RoHS कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल IRF6723M2DTR1P पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी Sep 25 - Sep 29 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी 1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
शिपिंग DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IRF6723M2DTR1P विशेष विवरण

भाग संख्या:IRF6723M2DTR1P
ब्रैंड:IR (Infineon Technologies)
जीवन चक्र:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सरणियाँ
उत्पादक:IR (Infineon Technologies)
शृंखला:HEXFET®
पैकेट:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:Obsolete
एफईटी प्रकार:2 N-Channel (Dual)
fet सुविधा:Logic Level Gate
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):30V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस:15A
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:6.6mOhm @ 15A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:2.35V @ 25µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:14nC @ 4.5V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:1380pF @ 15V
शक्ति - मैक्स:2.7W
परिचालन तापमान:-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
पैकेज / मामला:DirectFET™ Isometric MA
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:DIRECTFET™ MA

IRF6723M2DTR1P दस्तावेज़

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