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TPC8212-H(TE12LQ,M

TPC8212-H(TE12LQ,M
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भाग संख्या TPC8212-H(TE12LQ,M
LIXINC Part # TPC8212-H(TE12LQ,M
उत्पादक Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
वर्ग असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सरणियाँ
विवरण MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
जीवन चक्र सक्रिय
RoHS कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल TPC8212-H(TE12LQ,M पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी Sep 25 - Sep 29 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी 1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
शिपिंग DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

TPC8212-H(TE12LQ,M विशेष विवरण

भाग संख्या:TPC8212-H(TE12LQ,M
ब्रैंड:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
जीवन चक्र:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सरणियाँ
उत्पादक:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
शृंखला:-
पैकेट:Tape & Reel (TR)
भाग की स्थिति:Obsolete
एफईटी प्रकार:2 N-Channel (Dual)
fet सुविधा:Logic Level Gate
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):30V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस:6A
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:21mOhm @ 3A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:2.3V @ 1mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:16nC @ 10V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:840pF @ 10V
शक्ति - मैक्स:450mW
परिचालन तापमान:150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
पैकेज / मामला:8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:8-SOP (5.5x6.0)

TPC8212-H(TE12LQ,M दस्तावेज़

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