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SIZ900DT-T1-GE3

SIZ900DT-T1-GE3
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भाग संख्या SIZ900DT-T1-GE3
LIXINC Part # SIZ900DT-T1-GE3
उत्पादक Vishay / Siliconix
वर्ग असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सरणियाँ
विवरण MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
जीवन चक्र सक्रिय
RoHS कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल SIZ900DT-T1-GE3 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी Sep 25 - Sep 29 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी 1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
शिपिंग DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SIZ900DT-T1-GE3 विशेष विवरण

भाग संख्या:SIZ900DT-T1-GE3
ब्रैंड:Vishay / Siliconix
जीवन चक्र:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सरणियाँ
उत्पादक:Vishay / Siliconix
शृंखला:TrenchFET®
पैकेट:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:Obsolete
एफईटी प्रकार:2 N-Channel (Half Bridge)
fet सुविधा:Logic Level Gate
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):30V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस:24A, 28A
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:7.2mOhm @ 19.4A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:2.4V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:45nC @ 10V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:1830pF @ 15V
शक्ति - मैक्स:48W, 100W
परिचालन तापमान:-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
पैकेज / मामला:6-PowerPair™
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:6-PowerPair™

SIZ900DT-T1-GE3 दस्तावेज़

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