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FDMS3660S-F121

FDMS3660S-F121
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भाग संख्या FDMS3660S-F121
LIXINC Part # FDMS3660S-F121
उत्पादक Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
वर्ग असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सरणियाँ
विवरण MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN
जीवन चक्र सक्रिय
RoHS कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल FDMS3660S-F121 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी Sep 26 - Sep 30 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी 1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
शिपिंग DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FDMS3660S-F121 विशेष विवरण

भाग संख्या:FDMS3660S-F121
ब्रैंड:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
जीवन चक्र:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सरणियाँ
उत्पादक:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
शृंखला:PowerTrench®
पैकेट:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:Obsolete
एफईटी प्रकार:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
fet सुविधा:Logic Level Gate
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):30V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस:13A, 30A
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:8mOhm @ 13A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:2.7V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:29nC @ 10V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:1765pF @ 15V
शक्ति - मैक्स:1W
परिचालन तापमान:-
माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
पैकेज / मामला:8-PowerTDFN
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:Power56

FDMS3660S-F121 दस्तावेज़

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