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IPG20N06S4L14ATMA1

IPG20N06S4L14ATMA1
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भाग संख्या IPG20N06S4L14ATMA1
LIXINC Part # IPG20N06S4L14ATMA1
उत्पादक IR (Infineon Technologies)
वर्ग असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सरणियाँ
विवरण MOSFET 2N-CH 8TDSON
जीवन चक्र सक्रिय
RoHS कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल IPG20N06S4L14ATMA1 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी Sep 26 - Sep 30 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी 1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
शिपिंग DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPG20N06S4L14ATMA1 विशेष विवरण

भाग संख्या:IPG20N06S4L14ATMA1
ब्रैंड:IR (Infineon Technologies)
जीवन चक्र:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सरणियाँ
उत्पादक:IR (Infineon Technologies)
शृंखला:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
पैकेट:Tape & Reel (TR)
भाग की स्थिति:Discontinued at Digi-Key
एफईटी प्रकार:2 N-Channel (Dual)
fet सुविधा:Logic Level Gate
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):60V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस:20A
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:13.7mOhm @ 17A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:2.2V @ 20µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:39nC @ 10V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:2890pF @ 25V
शक्ति - मैक्स:50W
परिचालन तापमान:-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
पैकेज / मामला:8-PowerVDFN
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:PG-TDSON-8-4

IPG20N06S4L14ATMA1 दस्तावेज़

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