NAND04GW3B2DN6E

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भाग संख्या	NAND04GW3B2DN6E
LIXINC Part #	NAND04GW3B2DN6E
उत्पादक	Micron Technology
वर्ग	एकीकृत सर्किट › याद
विवरण	IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	NAND04GW3B2DN6E पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 05 - Oct 09 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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NAND04GW3B2DN6E विशेष विवरण

भाग संख्या:	NAND04GW3B2DN6E
ब्रैंड:	Micron Technology
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	एकीकृत सर्किट
उपश्रेणी:	याद
उत्पादक:	Micron Technology
शृंखला:	-
पैकेट:	Tray
भाग की स्थिति:	Discontinued at Digi-Key
स्मृति प्रकार:	Non-Volatile
स्मृति प्रारूप:	FLASH
तकनीकी:	FLASH - NAND
मेमोरी का आकार:	4Gb (512M x 8)
मेमोरी इंटरफ़ेस:	Parallel
घड़ी की आवृत्ति:	-
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ:	25ns
पहूंच समय:	25 ns
वोल्टेज आपूर्ति:	2.7V ~ 3.6V
परिचालन तापमान:	-40°C ~ 85°C (TA)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
पैकेज / मामला:	48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	48-TSOP

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