JANTXV1N6630US | Roving Networks / Microchip Technology JANTXV1N6630US

JANTXV1N6630US

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भाग संख्या	JANTXV1N6630US
LIXINC Part #	JANTXV1N6630US
उत्पादक	Roving Networks / Microchip Technology
वर्ग	असतत अर्धचालक › डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
विवरण	DIODE GEN PURP 1KV 1.4A E-MELF
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	JANTXV1N6630US पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 20 - Oct 24 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान
शिपिंग

JANTXV1N6630US विशेष विवरण

भाग संख्या:	JANTXV1N6630US
ब्रैंड:	Roving Networks / Microchip Technology
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	डायोड - रेक्टिफायर - सिंगल
उत्पादक:	Roving Networks / Microchip Technology
शृंखला:	Military, MIL-PRF-19500/590
पैकेट:	Bulk
भाग की स्थिति:	Active
डायोड प्रकार:	Standard
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम):	1000 V
वर्तमान - औसत सुधारा (आईओ):	1.4A
वोल्टेज - आगे (vf) (अधिकतम) @ अगर:	1.4 V @ 1.4 A
रफ़्तार:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर):	50 ns
करंट - रिवर्स लीकेज @ वी.आर:	2 µA @ 1000 V
समाई @ वीआर, एफ:	-
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
पैकेज / मामला:	SQ-MELF, E
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	D-5B
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन:	-65°C ~ 150°C

SBR2060CTI	DIODE GEN PURP 60V 10A TO251	941 अधिक आदेश पर
1N3880R	DIODE GEN PURP REV 100V 6A DO4	961 अधिक आदेश पर
DSEP29-12B	POWER DIODE DISCRETES-FRED TO-22	2216 अधिक आदेश पर
SRT19HR0G	DIODE SCHOTTKY 90V 1A TS-1	939 अधिक आदेश पर
DSP45-12AZ-TUB	POWER DIODE DISCRETES-RECTIFIER	971 अधिक आदेश पर
SD125SB45B.T1	PIV 45V IO 15A CHIP SIZE 125MIL	866 अधिक आदेश पर
VS-70HFLR40S05M	DIODE GEN PURP 400V 70A DO203AB	962 अधिक आदेश पर
BYM07-100HE3_A/H	DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213	904 अधिक आदेश पर
RA203425XX	DIODE GP 3.4KV 2500A POWRDISC	981 अधिक आदेश पर
SFT11G A1G	DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1	849 अधिक आदेश पर
NRVHPRS1KFA	SR SOD123FA PN 0.8A 800V	804 अधिक आदेश पर
EM 2AV0	DIODE GEN PURP 600V 1.2A AXIAL	951 अधिक आदेश पर
EM 1YV1	DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL	896 अधिक आदेश पर

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