A2T09VD300NR1 | NXP Semiconductors A2T09VD300NR1 | A2T09VD300NR1 Inventory, Best Pricing

A2T09VD300NR1

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भाग संख्या	A2T09VD300NR1
LIXINC Part #	A2T09VD300NR1
उत्पादक	NXP Semiconductors
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - rf
विवरण	IC TRANS RF LDMOS
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	A2T09VD300NR1 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 20 - Oct 24 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान
शिपिंग

A2T09VD300NR1 विशेष विवरण

CPH5870-TL-E	NCH+SBD 2.5V DRIVE SERIES	180694 अधिक आदेश पर
IRF1S30P05SM	IRF1S30P05SM	947 अधिक आदेश पर
ARF468AG	RF MOSFET (VDMOS)	959 अधिक आदेश पर
RF3L05150CB4	150 W, 28/32 V RF POWER LDMOS TR	891 अधिक आदेश पर
BF909AR215	MOSFET N-CH SOT-143R	9844 अधिक आदेश पर
MWT-3F	HIGH POWER GAAS MESFET	962 अधिक आदेश पर
SCH1410-TL-E	NCH 2.5V DRIVE SERIES	920 अधिक आदेश पर
BF886H6327XTSA1	MOSFET N-CH RF 12V 30MA SOT-343	855 अधिक आदेश पर
GTVA101K42EV-V1-R250	GAN HEMT 50V 1400W 0.96-1.4GHZ	927 अधिक आदेश पर
PTFB241402F-V1-R250	IC AMP RF LDMOS	928 अधिक आदेश पर
PD57045-E	FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10	847 अधिक आदेश पर
IGN0912LM500	GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND	895 अधिक आदेश पर
GTRA362802FC-V1-R2	280W, GAN HEMT, 48V, 3400-3600MH	856 अधिक आदेश पर

वार्म टिप्स: कृपया नीचे दिया गया फॉर्म भरें। हम जितनी जल्दी हो सके आपसे संपर्क करेंगे।

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$89.29580	$89.2958
500	$89.29580	$44647.9

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