SQJ262EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix SQJ262EP-T1_GE3 | SQJ262EP-T1

SQJ262EP-T1_GE3

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भाग संख्या	SQJ262EP-T1_GE3
LIXINC Part #	SQJ262EP-T1_GE3
उत्पादक	Vishay / Siliconix
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सरणियाँ
विवरण	MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	SQJ262EP-T1_GE3 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Sep 22 - Sep 26 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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SQJ262EP-T1_GE3 विशेष विवरण

भाग संख्या:	SQJ262EP-T1_GE3
ब्रैंड:	Vishay / Siliconix
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सरणियाँ
उत्पादक:	Vishay / Siliconix
शृंखला:	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	2 N-Channel (Dual)
fet सुविधा:	Standard
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	60V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	15A (Tc), 40A (Tc)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	35.5mOhm @ 2A, 10V, 15.5mOhm @ 5A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	2.5V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	10nC @ 10V, 23nC @ 10V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	550pF @ 25V, 1260pF @ 25V
शक्ति - मैक्स:	27W (Tc), 48W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
पैकेज / मामला:	PowerPAK® SO-8 Dual
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

SQJ262EP-T1_GE3 दस्तावेज़

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