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ZXMN2A04DN8TC

ZXMN2A04DN8TC
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भाग संख्या ZXMN2A04DN8TC
LIXINC Part # ZXMN2A04DN8TC
उत्पादक Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
वर्ग असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सरणियाँ
विवरण MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC
जीवन चक्र सक्रिय
RoHS कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल ZXMN2A04DN8TC पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी Sep 26 - Sep 30 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी 1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
भुगतान Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
शिपिंग DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

ZXMN2A04DN8TC विशेष विवरण

भाग संख्या:ZXMN2A04DN8TC
ब्रैंड:Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
जीवन चक्र:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सरणियाँ
उत्पादक:Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
शृंखला:-
पैकेट:Tape & Reel (TR)
भाग की स्थिति:Obsolete
एफईटी प्रकार:2 N-Channel (Dual)
fet सुविधा:Logic Level Gate
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):20V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस:5.9A
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:25mOhm @ 5.9A, 4.5V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:700mV @ 250µA (Min)
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:22.1nC @ 5V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:1880pF @ 10V
शक्ति - मैक्स:1.8W
परिचालन तापमान:-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:Surface Mount
पैकेज / मामला:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:8-SO

ZXMN2A04DN8TC दस्तावेज़

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