IMW120R045M1XKSA1 | IR (Infineon Technologies) IMW120R045M1XKSA1 | IMW120R045M1XKSA1 Inventory, Best Pricing

IMW120R045M1XKSA1

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भाग संख्या	IMW120R045M1XKSA1
LIXINC Part #	IMW120R045M1XKSA1
उत्पादक	IR (Infineon Technologies)
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	SICFET N-CH 1.2KV 52A TO247-3
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	IMW120R045M1XKSA1 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 10 - Oct 14 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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शिपिंग

IMW120R045M1XKSA1 विशेष विवरण

भाग संख्या:	IMW120R045M1XKSA1
ब्रैंड:	IR (Infineon Technologies)
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	IR (Infineon Technologies)
शृंखला:	CoolSiC™
पैकेट:	Tube
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	SiCFET (Silicon Carbide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	1.2 kV
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	52A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	15V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	59mOhm @ 20A, 15V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	5.7V @ 10mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	52 nC @ 15 V
वीजीएस (अधिकतम):	+20V, -10V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	1.9 nF @ 800 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	228W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	PG-TO247-3-41
पैकेज / मामला:	TO-247-3

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