PSMN2R0-30YL,115 | Nexperia PSMN2R0-30YL,115 | PSMN2R0-30YL,115 Inventory, Best Pricing

PSMN2R0-30YL,115

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भाग संख्या	PSMN2R0-30YL,115
LIXINC Part #	PSMN2R0-30YL,115
उत्पादक	Nexperia
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	PSMN2R0-30YL,115 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Jul 09 - Jul 13 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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PSMN2R0-30YL,115 विशेष विवरण

भाग संख्या:	PSMN2R0-30YL,115
ब्रैंड:	Nexperia
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	Nexperia
शृंखला:	TrenchMOS™
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	30 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	100A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	4.5V, 10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	2mOhm @ 15A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	2.15V @ 1mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	64 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	±20V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	3980 pF @ 12 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	97W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	LFPAK56, Power-SO8
पैकेज / मामला:	SC-100, SOT-669

PSMN2R0-30YL,115 दस्तावेज़

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