केवल संदर्भ के लिए
भाग संख्या | SIHG120N60E-GE3 |
LIXINC Part # | SIHG120N60E-GE3 |
उत्पादक | Vishay / Siliconix |
वर्ग | असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल |
विवरण | MOSFET N-CH 600V 25A TO247AC |
जीवन चक्र | सक्रिय |
RoHS | कोई RoHS सूचना नहीं |
ईडीए/सीएडी मॉडल | SIHG120N60E-GE3 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक |
गोदामों | यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर |
अनुमानित डिलिवरी | Jul 01 - Jul 05 2024(त्वरित शिपिंग चुनें) |
गारंटी | 1 साल तक [सीमित-वारंटी]* |
भुगतान | ![]() |
शिपिंग | ![]() |
भाग संख्या: | SIHG120N60E-GE3 |
ब्रैंड: | Vishay / Siliconix |
जीवन चक्र: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
वर्ग: | असतत अर्धचालक |
उपश्रेणी: | ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल |
उत्पादक: | Vishay / Siliconix |
शृंखला: | E |
पैकेट: | Tube |
भाग की स्थिति: | Active |
एफईटी प्रकार: | N-Channel |
तकनीकी: | MOSFET (Metal Oxide) |
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस): | 600 V |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस: | 25A (Tc) |
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू): | 10V |
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs: | 120mOhm @ 12A, 10V |
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी: | 5V @ 250µA |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस: | 45 nC @ 10 V |
वीजीएस (अधिकतम): | ±30V |
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds: | 1562 pF @ 100 V |
fet सुविधा: | - |
बिजली अपव्यय (अधिकतम): | 179W (Tc) |
परिचालन तापमान: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
माउन्टिंग का प्रकार: | Through Hole |
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज: | TO-247AC |
पैकेज / मामला: | TO-247-3 |
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TSM7ND65CI | MOSFET N-CH 650V 7A ITO220 | 4732 अधिक आदेश पर |
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TPC8134,LQ(S | MOSFET P-CH 40V 5A 8SOP | 850 अधिक आदेश पर |
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AOT254L | MOSFET N-CH 150V 4.2A/32A TO220 | 938 अधिक आदेश पर |
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AUIRFP4568-E | MOSFET N-CH 150V 171A TO247AD | 1606 अधिक आदेश पर |
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IPD90N04S3H4ATMA1 | OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET | 44240 अधिक आदेश पर |
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TK32E12N1,S1X | MOSFET N CH 120V 60A TO-220 | 896 अधिक आदेश पर |
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IXFX80N50P | MOSFET N-CH 500V 80A PLUS247-3 | 832 अधिक आदेश पर |
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SSM5H90ATU,LF | MOSFET N-CH 20V 2.4A UFV | 6878 अधिक आदेश पर |
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IXTH13N80 | MOSFET N-CH 800V 13A TO247 | 877 अधिक आदेश पर |
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2SJ166-T1B-A | P-CHANNEL MOSFET | 2424 अधिक आदेश पर |
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DN2530N3-G | MOSFET N-CH 300V 175MA TO92 | 3786 अधिक आदेश पर |
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IPA60R380E6XKSA1 | MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-FP | 1973 अधिक आदेश पर |
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SQ4184EY-T1_GE3 | MOSFET N-CH 40V 29A 8SOIC | 2386 अधिक आदेश पर |
स्टॉक में | 11390 - अधिक आदेश पर |
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उद्धरण सीमा | कोई सीमा नहीं |
समय सीमा | पुष्टि की |
न्यूनतम | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $5.70000 | $5.7 |
10 | $5.10892 | $51.0892 |
100 | $4.22130 | $422.13 |
500 | $3.45231 | $1726.155 |
1000 | $2.93966 | $2939.66 |
2500 | $2.80164 | $7004.1 |
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