IRFH5015TRPBF | IR (Infineon Technologies) IRFH5015TRPBF | IRFH5015TRPBF Inventory, Best Pricing

IRFH5015TRPBF

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भाग संख्या	IRFH5015TRPBF
LIXINC Part #	IRFH5015TRPBF
उत्पादक	IR (Infineon Technologies)
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	MOSFET N-CH 150V 10A/56A 8PQFN
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	IRFH5015TRPBF पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Jul 08 - Jul 12 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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IRFH5015TRPBF विशेष विवरण

भाग संख्या:	IRFH5015TRPBF
ब्रैंड:	IR (Infineon Technologies)
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	IR (Infineon Technologies)
शृंखला:	HEXFET®
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	150 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	10A (Ta), 56A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	31mOhm @ 34A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	5V @ 150µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	50 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	±20V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	2300 pF @ 50 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	3.6W (Ta), 156W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	8-PQFN (5x6)
पैकेज / मामला:	8-PowerTDFN

IRFH5015TRPBF दस्तावेज़

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