IMBF170R450M1XTMA1 | IR (Infineon Technologies) IMBF170R450M1XTMA1 | IMBF170R450M1XTMA1 Inventory, Best Pricing

IMBF170R450M1XTMA1

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भाग संख्या	IMBF170R450M1XTMA1
LIXINC Part #	IMBF170R450M1XTMA1
उत्पादक	IR (Infineon Technologies)
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	IMBF170R450M1XTMA1 पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Jul 08 - Jul 12 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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IMBF170R450M1XTMA1 विशेष विवरण

भाग संख्या:	IMBF170R450M1XTMA1
ब्रैंड:	IR (Infineon Technologies)
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	IR (Infineon Technologies)
शृंखला:	CoolSiC™
पैकेट:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	SiCFET (Silicon Carbide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	1700 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	9.8A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	12V, 15V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	450mOhm @ 2A, 15V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	5.7V @ 2.5mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	11 nC @ 12 V
वीजीएस (अधिकतम):	+20V, -10V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	610 pF @ 1000 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	107W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	PG-TO263-7
पैकेज / मामला:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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