IRFH8321TRPBF | Rochester Electronics IRFH8321TRPBF | IRFH8321TRPBF Inventory, Best Pricing

IRFH8321TRPBF

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भाग संख्या	IRFH8321TRPBF
LIXINC Part #	IRFH8321TRPBF
उत्पादक	Rochester Electronics
वर्ग	असतत अर्धचालक › ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
विवरण	IRFH8321 - HEXFET POWER MOSFET
जीवन चक्र	सक्रिय
RoHS	कोई RoHS सूचना नहीं
ईडीए/सीएडी मॉडल	IRFH8321TRPBF पीसीबी पदचिह्न और प्रतीक
गोदामों	यूएसए, यूरोप, चीन, हांगकांग एसएआर
अनुमानित डिलिवरी	Oct 07 - Oct 11 2024(त्वरित शिपिंग चुनें)
गारंटी	1 साल तक [सीमित-वारंटी]*
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IRFH8321TRPBF विशेष विवरण

भाग संख्या:	IRFH8321TRPBF
ब्रैंड:	Rochester Electronics
जीवन चक्र:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
वर्ग:	असतत अर्धचालक
उपश्रेणी:	ट्रांजिस्टर - fets, mosfets - सिंगल
उत्पादक:	Rochester Electronics
शृंखला:	HEXFET®
पैकेट:	Bulk
भाग की स्थिति:	Active
एफईटी प्रकार:	N-Channel
तकनीकी:	MOSFET (Metal Oxide)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस):	30 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	21A (Ta), 83A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू):	4.5V, 10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, vgs:	4.9mOhm @ 20A, 10V
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी:	2V @ 50µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस:	59 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम):	±20V
इनपुट कैपेसिटेंस (ciss) (अधिकतम) @ vds:	2.6 pF @ 10 V
fet सुविधा:	-
बिजली अपव्यय (अधिकतम):	3.4W (Ta), 54W (Tc)
परिचालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज:	PQFN (5x6)
पैकेज / मामला:	8-TQFN Exposed Pad

IRFH8321TRPBF दस्तावेज़

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